三星宣布2025年量产2nm芯片 将使用自研新技术

作者:代唯一 责编: 马荣 来源： 网新社Xnews

2021-12-08 16:31

2nm芯片，仅指甲盖大小的面积就可以集成500亿个晶体管。

网新社消息，近日，三星高管表示将在2025年实现2nm工艺芯片的量产，并且将使用基于MBCFET的自研芯片技术，可集成500亿个晶体管，相比7nm芯片可提升45%的性能或减少75%的功耗。

根据三星的计划，2nm芯片会和3nm芯片一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术打造。MBCFET这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠。由于这个技术与相机CMOS制造技术的设备与制造方法相似，所以在一定程度上降低了2nm芯片的研发成本。

在市场份额上，今年Q3季度台积电占据了高达53%的芯片代工份额，虽然三星仅排在台积电之后位列第二，但是市场份额仅有台积电的30%。为了获取更大的市场份额，三星决定在3nm和2nm芯片制造上突破。

据了解，三星3nm芯片最早于22年开始量产，并且会分为两个版本，其中低功耗版（3GAE）将于22年初批量生产，高性能版（3GAP）则会在23年初开始量产。